一、結果概貌
1、有機物顯著特點:
- 復制粘貼的電壓建設規模:2.7V-24V
- 輸出電阻面積:4.5V-24V
- 集變為了兩只18mΩ FET
- 可編譯程序開關按鈕峰峰值功率:15A
- 可調式理按鈕頻率和次數:多達2.2MHz
- 可提供了負債段開功能的柵極驅動軟件器
- 主動圍堵擊穿擋拆功用
- 封裝形式:QFN3.5x4.5-20L
2、利于啟發圖:
3、物質形容
PL32001有的是款24V云同步升壓改換器,內部設置有使用于過載段開的柵極驅動下載器。它集是這兩個低導通內阻的輸出場效果多晶體管(FET):是某個導通內阻為18mΩ的觸點開關FET和是某個導通內阻為18mΩ的整流FET。 PL32001去接納自滿足平衡穩定關斷之后最高值交流電形勢規范。它具有著一樣有益于全面發展輕載打球的外觀表現風格。當導入交流電較低時,PL32001將進人不長期導通形勢(DCM)。PL32001的可設為配置擺置表現風格一般包括可程序程序編程逐周期公式交流電特定、可程序程序編程按鈕開關次數效率與作用和形勢調選效率與作用。 PL32001在關斷時是可以和將發送端與發送端斷絕關系。當發送端制造擊穿,它會開啟打嗝類型如下降熱內應力,其余在擊穿生態消弭后可自主的規復。其余,它還更具過壓保護(OVP)和熱保護作用,可以預防止形成病癥運行。
4、臭街用處景
- 藍牙揚音器
- Thunderbolt接口類型
- 一體式式刷卡機機(POS)終端設備
- 電子設備煙
5、二極管封裝信心
6、管腳界說和功較描述
管腳功能主治描述
序號 | 稱號 | 描寫 |
---|---|---|
1 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
2 | EN | 使能引腳。將其拉高以使集成電路開啟,不要讓該引腳處于懸空狀況 |
3 | FREQ | 開關頻次由該引腳與SW引腳之間的一個電阻停止設定。在現實利用中,該引腳不能懸空 |
4 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
5 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
6 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
7 | SW | 引腳4,5,6,7是升壓轉換器的功率開關引腳,它是高壓側場效應晶體管(LSFET)漏極和高壓側場效應晶體管(HSFET)源極的大眾節點。你須要將線圈毗連到這個引腳和電源輸入端 |
8 | BST | 自舉引腳。在開關引腳(SW)和自舉引腳(BST)之間毗連一個0.1μF或容量更大的電容器,以便為高側柵極驅動器供電 |
9 | VIN | 輸入電源引腳。利用一個大容量電容將VIN引腳旁路至地(GND),并且最少還要利用一個0.1微法(μF)的陶瓷電容,以消弭輸入到集成電路(IC)的噪聲。將這些電容安排在接近VIN引腳和GND引腳的地位 |
10 | VCC | 外部穩壓器的輸入端,在該引腳與地之間須要一個大于4.7μF的陶瓷電容 |
11 | AGND | 摹擬地 |
12 | DISDRV | 這是外部斷開場效應晶體管(FET)的柵極驅動輸入引腳。將DISDRV引腳毗連到外部場效應晶體管的柵極。若是不利用負載斷開功效,則使該引腳懸空 |
13 | MODE | 這是操縱形式挑選引腳。有一個2兆歐的外部電阻將此引腳毗連到參考電壓(VREF)。當該引腳為邏輯高電日常平凡,啟用持續導通形式(CCM);為邏輯低電日常平凡,啟用不持續導通形式(DCM);若引腳懸空,則啟用超同步調制形式(USM) |
14 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
15 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
16 | VBUS | 升壓轉換器的輸入引腳,外部毗連到高壓側場效應晶體管(HSFET)的漏極 |
17 | FB | 反應輸入引腳。FB引腳用于檢測輸入電壓,經由過程一個毗連在輸入端和地之間的電阻分壓器與FB引腳相連。FB是一個敏感節點,應使FB引腳闊別開關引腳(SW)和自舉引腳(BST) |
18 | COMP | 這是外部偏差縮小器的輸入引腳。環路彌補收集需毗連至COMP引腳和摹擬地(AGND)引腳。COMP是一個敏感節點,要讓它闊別SW引腳和BST引腳 |
19 | ILIM | 可調理的高壓側場效應晶體管(LSFET)峰值電流限定。需毗連一個電阻到摹擬地(AGND) |
0 | PGND | 功率接地。高壓側場效應晶體管(LSFET)的源極外部毗連到功率地(PGND) |
二、廚藝文本文檔
范例 | 標題 | 上傳時候 | 文檔下載 |
物質型號規格書(英文字母) | PL32001_Datasheet_V1.0 | 2025/05/06 | PDF下載 |
三、使用工作方案
序號 | 標題 |
1 |
智能窗簾利用計劃
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1 |
無線充利用計劃
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